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Materiales especiales / no convencionales


Detalle del producto

Paquetes de aleación de aluminio

NonconventionalSpecial Materials1

BREVE DESCRIPCIÓN:
Las ventajas de la aleación de aluminio son su peso ligero, su robustez y la facilidad con la que se puede moldear. Como tal, se utiliza ampliamente en la fabricación de envases electrónicos.

PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
Alta conductividad térmica
•Baja densidad
• Se puede realizar una buena platability y trabajabilidad, corte de alambre, pulido y chapado en oro de la superficie.

MODELO COEFICIENTE DE EXPANSIÓN TÉRMICA / × 10-6 / K CONDUCTIVIDAD TÉRMICA / W · (m · K)-1 LA DENSIDAD DE / g · cm-3
A1 6061 22,6 210 2,7
A1 4047 21,6 193 2.6

Paquetes de aluminio y metal de silicio

Aluminum Silicon Metal Packages

BREVE DESCRIPCIÓN:
Las aleaciones de Si / Al para envases electrónicos se refieren principalmente a materiales de aleación eutéctica con un contenido de silicio del 11% al 70%. Su densidad es baja, el coeficiente de expansión térmica se puede adaptar al chip y al sustrato, y su capacidad para disipar el calor es excelente. Su rendimiento de mecanizado también es ideal. Como resultado, las aleaciones de Si / Al tienen un enorme potencial en la industria del embalaje electrónico.

PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
• La rápida disipación de calor y la alta conductividad térmica pueden resolver los problemas de disipación de calor inherentes al desarrollo de dispositivos de alta potencia.
• El coeficiente de expansión térmica es controlable, lo que permite igualar el del chip, evitando un estrés térmico excesivo que puede provocar fallas en el dispositivo.
•Baja densidad

Designación CE de aleación Composición de la aleación CTE, ppm / ℃, 25-100 ℃ Densidad, g / cm3 Conductividad térmica a 25 ℃ W / mK Resistencia a la flexión, MPa Fuerza de producción, MPa Módulo de elasticidad, GPa
CE20 Al-12% Si 20 2,7
CE17 Al-27% Si 16 2.6 177 210 183 92
CE17M Al-27% Si * 16 2.6 147 92
CE13 Al-42% Si 12,8 2,55 160 213 155 107
CE11 Si-50% Al 11 2.5 149 172 125 121
CE9 Si-40% Al 9 2,45 129 140 134 124
CE7 Si-30% Al 7.4 2.4 120 143 100 129

Diamante / Cobre, Diamante / Aluminio

DiamondCopper, DiamondAluminum

BREVE DESCRIPCIÓN:
El diamante / cobre y el diamante / aluminio son materiales compuestos con diamante como fase de refuerzo y cobre o aluminio como material de matriz. Se trata de materiales de embalaje electrónicos muy competitivos y prometedores. Tanto para la carcasa de metal de diamante / cobre como de diamante / aluminio, la conductividad térmica del área del chip es ≥500W / (m • K) -1, satisfaciendo los requisitos de rendimiento de alta disipación de calor del circuito. Con la continua expansión de la investigación, este tipo de carcasa jugará un papel cada vez más importante en el campo de los envases electrónicos.

PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
• Alta conductividad térmica
• El coeficiente de expansión térmica (CTE) se puede controlar cambiando la fracción de masa de los materiales de diamante y Cu
•Baja densidad
• Buena capacidad de plaqueo y trabajabilidad, se puede realizar corte de alambre, esmerilado y chapado en oro de la superficie

MODELO COEFICIENTE DE EXPANSIÓN TÉRMICA / × 10-4 / K CONDUCTIVIDAD TÉRMICA / W · (m · K) -1 LA DENSIDAD DE / g · cm-3
DIAMANTE 60% -COPE 40% 4 600 4.6
DIAMANTE 40% -COPE 60% 6 550 5.1
ALUMINIO DIAMANTE 7 > 450 3.2

Sustrato de AlN

AlN substrate

BREVE DESCRIPCIÓN:
La cerámica de nitruro de aluminio es un material cerámico técnico. Tiene excelentes propiedades térmicas, mecánicas y eléctricas, como alta conductividad eléctrica, una constante dieléctrica relativa pequeña, un coeficiente de expansión lineal que se adapta al silicio, un excelente aislamiento eléctrico y baja densidad. No es tóxico y es fuerte. Con el desarrollo generalizado de dispositivos microelectrónicos, la cerámica de nitruro de aluminio como material base o para la carcasa del paquete se ha vuelto cada vez más popular. Es un material de embalaje y sustrato de circuito integrado de alta potencia prometedor.

PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
• Alta conductividad térmica (aproximadamente 270W / m • K), cercana a BeO y SiC, y más de 5 veces la de Al2O3
• El coeficiente de expansión térmica coincide con Si y GaAs
• Excelentes propiedades eléctricas (constante dieléctrica relativamente pequeña, pérdida dieléctrica, resistividad de volumen, rigidez dieléctrica)
• Alta resistencia mecánica y rendimiento de mecanizado ideal
• Características ópticas y de microondas ideales
•No tóxico


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