Materiales especiales/no convencionales
Paquetes de aleación de aluminio

BREVE DESCRIPCIÓN:
Las ventajas de la aleación de aluminio son su peso ligero, su robustez y la facilidad con la que se puede moldear.Como tal, es ampliamente utilizado en la fabricación de envases electrónicos.
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
Alta conductividad térmica
•Baja densidad
•Buena plateabilidad y trabajabilidad, se puede realizar corte de alambre, rectificado y chapado en oro superficial.
MODELO | COEFICIENTE DE EXPANSIÓN TÉRMICA/×10-6/K | CONDUCTIVIDAD TÉRMICA/W·(m·K)-1 | LA DENSIDAD DE/g·cm-3 |
A1 6061 | 22.6 | 210 | 2.7 |
A1 4047 | 21.6 | 193 | 2.6 |
Paquetes de metal de aluminio y silicio

BREVE DESCRIPCIÓN:
Las aleaciones de Si/Al para paquetes electrónicos se refieren principalmente a materiales de aleación eutéctica con un contenido de silicio del 11 % al 70 %.Su densidad es baja, el coeficiente de expansión térmica puede adaptarse al chip y al sustrato, y su capacidad para disipar el calor es excelente.Su rendimiento de mecanizado también es ideal.Como resultado, las aleaciones de Si/Al tienen un enorme potencial en la industria del embalaje electrónico.
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
•La rápida disipación de calor y la alta conductividad térmica pueden resolver los problemas de disipación de calor inherentes al desarrollo de dispositivos de alta potencia.
•El coeficiente de expansión térmica es controlable, lo que permite igualar el del chip, evitando un estrés térmico excesivo que puede causar fallas en el dispositivo.
•Baja densidad
Designación de aleación CE | Composición de aleación | CET,ppm/℃,25-100℃ | Densidad, g/cm3 | Conductividad térmica a 25 ℃ W/mK | Resistencia a la flexión, MPa | Límite elástico, MPa | Módulo elástico, GPa |
CE20 | Al-12%Si | 20 | 2.7 | ||||
CE17 | Al-27%Si | 16 | 2.6 | 177 | 210 | 183 | 92 |
CE17M | Al-27%Si* | 16 | 2.6 | 147 | 92 | ||
CE13 | Al-42%Si | 12.8 | 2.55 | 160 | 213 | 155 | 107 |
CE11 | Si-50%Al | 11 | 2.5 | 149 | 172 | 125 | 121 |
CE9 | Si-40%Al | 9 | 2.45 | 129 | 140 | 134 | 124 |
CE7 | Si-30%Al | 7.4 | 2.4 | 120 | 143 | 100 | 129 |
Diamante/Cobre, Diamante/Aluminio

BREVE DESCRIPCIÓN:
El diamante/cobre y el diamante/aluminio son materiales compuestos con diamante como fase de refuerzo y cobre o aluminio como material de matriz.Estos son materiales de embalaje electrónico muy competitivos y prometedores.Tanto para la carcasa de metal de diamante/cobre como de diamante/aluminio, la conductividad térmica del área del chip es ≥500 W/( m•K) -1, lo que satisface los requisitos de rendimiento de alta disipación de calor del circuito.Con la continua expansión de la investigación, este tipo de carcasas desempeñará un papel cada vez más importante en el campo de los embalajes electrónicos.
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
•Alta conductividad térmica
•El coeficiente de expansión térmica (CTE) se puede controlar cambiando la fracción de masa de los materiales de diamante y Cu
•Baja densidad
• Buena plateabilidad y trabajabilidad, se puede realizar corte de alambre, rectificado y chapado en oro superficial.
MODELO | COEFICIENTE DE DILATACIÓN TÉRMICA/×10-4/K | CONDUCTIVIDAD TÉRMICA/W·(m·K)-1 | LA DENSIDAD DE/g·cm-3 |
DIAMANTE60%-COBRE40% | 4 | 600 | 4.6 |
DIAMANTE40%-COBRE60% | 6 | 550 | 5.1 |
ALUMINIO DIAMANTE | 7 | >450 | 3.2 |
sustrato AlN

BREVE DESCRIPCIÓN:
La cerámica de nitruro de aluminio es un material cerámico técnico.Tiene excelentes propiedades térmicas, mecánicas y eléctricas, tales como alta conductividad eléctrica, una constante dieléctrica relativa pequeña, un coeficiente de expansión lineal similar al silicio, excelente aislamiento eléctrico y baja densidad.No es tóxico y fuerte.Con el desarrollo generalizado de los dispositivos microelectrónicos, la cerámica de nitruro de aluminio como material base o para la carcasa del paquete se ha vuelto cada vez más popular.Es un prometedor sustrato de circuito integrado de alta potencia y material de embalaje.
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS:
•Alta conductividad térmica (alrededor de 270W/m•K), cercana a BeO y SiC, y más de 5 veces mayor que la de Al2O3
•El coeficiente de expansión térmica coincide con Si y GaAs
•Excelentes propiedades eléctricas (constante dieléctrica relativamente pequeña, pérdida dieléctrica, resistividad volumétrica, rigidez dieléctrica)
•Alta resistencia mecánica y rendimiento de mecanizado ideal
•Características ópticas y de microondas ideales
•No tóxico